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fz-14 區熔晶體生長系統是為工業生產直徑達100毫米（4英寸）的單晶硅晶體而設計。根據源棒的尺寸，可以拉出長度達1. 1米的晶體。在這個過程中，晶體的直徑和液體區的高度可以通過攝像系統來監測。并且該系統的上部主軸和線圈都是自動定位的。該系統采用無接觸熔化工藝，通過使用渦輪分子泵和超純氬氣作為工藝氣體，產生高限真空環境，有效地防止了工藝過程中的污染，同時還能將氮氣以受控的方式引入工藝爐體。
更新時間:2025-03-05
fz-14m(g)區熔晶體生長系統為制備單晶硅晶體樣品而設計開發，該系統用于工業多晶硅生產中的材料分析。生產過程中的小型多晶體樣品在氬氣環境中被感應熔化，并在籽晶上結晶，形成單晶，然后進行光譜分析，以檢測和記錄所生產的多晶硅質量。該系統采用無接觸熔化工藝，通過使用渦輪分子泵和超純氬氣作為工藝氣體，產生高限真空環境，有效地防止了工藝過程中的污染。
更新時間:2025-03-05
sr110區熔法硅芯爐的工作方式與區熔系統類似。該系統使用一個在高頻感應線圈下直徑為100毫米的多晶硅棒（源棒）。根據硅棒的長度，在多個拉動工藝中可以產生特定數量的硅芯；然后這些硅芯被用作西門子下游工藝中的原棒。通過隔離閥將接收爐體與工藝爐體分開，可以將完成的硅芯取出，并立即開始下一個工藝。通過引入擴散到熔體中的工藝氣體可以對細桿進行摻雜處理。
更新時間:2025-03-05
sicma系統為通過物理氣相傳輸系統（pvt）的方式生產碳化硅晶體而開發。在此過程中，粉末狀的原材料在高溫下被加熱和升華，后沉積在特定準備的基片上。這項工藝將通過使用一個感應線圈在千赫茲范圍內完成加熱。隨著全球工業域環保意識的提高，pva tepla也緊跟時代步伐，通過對該感應線圈進行優化設計以實現低能源消耗。
更新時間:2025-03-05
kronos垂直梯度凝固法系統，用以解決基本工藝問題。該系統的高工作壓力意味著，即使其組分具有高蒸氣壓的材料也可以結晶。該系統可在10-40巴的壓力范圍內用于不同化合物半導體的結晶。這種方法支持晶體的工業化生產，例如砷化鎵（gaas）的工業化生產可以通過在大10巴壓力的標準版設備實現，而磷化銦（inp）的生產可以在大40巴壓力的標準版設備中實現。
更新時間:2025-03-05
本機是一款全自動晶片刷洗機，全程封閉環境采用機械手自動操作，具備刷洗甩干功能，適用于各種半導體襯底材料拋光后的刷洗，可有效減少晶片表面顆粒污染。
更新時間:2025-03-05
概述pc8816是四通道、高側功率具有集成nmos功率fet的開關，以及電荷泵。該設備集成了高保護功能，例如負載電流限制，通過功率限制進行過載主動管理帶可配置閉鎖的超溫停機。全面診斷
更新時間:2024-05-23
jt10單相型可控硅觸發器產品采用數字顯示技術，標配友善的ui 人機操控面板，數字顯示，觸摸按鍵。可以顯示系統信息，提示故障示警，可本地產品參數配置。 現場檢修更換非常方便。
更新時間:2023-10-24
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